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137-2866-5346等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD) 設(shè)備廣泛應(yīng)用于晶硅太陽電池表面鍍減反射薄膜或鈍化薄膜[1] 工序中。此類設(shè)備采用PECVD 技術(shù)，在低壓條件下，利用射頻電場使工藝氣體產(chǎn)生輝光放電，電離出等離子體，生成可促進(jìn)反應(yīng)的活性基團(tuán)；工藝氣體在活性基團(tuán)的促進(jìn)下，能在較低溫度下發(fā)生反應(yīng)，生成高品質(zhì)納米級薄膜。以上反應(yīng)過程是在PECVD 設(shè)備的反應(yīng)室完成，本文對管式PECVD 設(shè)備反應(yīng)室的進(jìn)氣方式進(jìn)行了改進(jìn)，并建立仿真模型進(jìn)行了驗(yàn)證，最后根據(jù)仿真結(jié)果優(yōu)化了反應(yīng)室結(jié)構(gòu)。
1 反應(yīng)室結(jié)構(gòu)
PECVD 設(shè)備的反應(yīng)室是工藝氣體反應(yīng)過程控制的主要區(qū)域，圖1 為管式PECVD 設(shè)備的典型反應(yīng)室結(jié)構(gòu)示意圖。其工作原理為：工藝開始時，爐門開啟，推舟系統(tǒng)將裝載有硅片的石墨舟送入石英爐管，并通過電極桿連接至低頻電源。
工藝過程中，工藝氣體由前端進(jìn)氣法蘭進(jìn)入石英爐管，工藝尾氣經(jīng)由連接至真空系統(tǒng)的尾端端面法蘭上所焊接的抽氣孔排出石英爐管。
其中，工藝氣體由前端進(jìn)氣法蘭進(jìn)入石英爐管的工藝流程為：工藝氣體從進(jìn)氣管道A 和進(jìn)氣管道B 進(jìn)入前端進(jìn)氣法蘭內(nèi)部的環(huán)形氣道，前端進(jìn)氣法蘭內(nèi)壁上均勻分布有多個進(jìn)氣孔，進(jìn)氣孔連通環(huán)形氣道和石英爐管，此結(jié)構(gòu)可實(shí)現(xiàn)工藝氣體的環(huán)形進(jìn)氣。前端進(jìn)氣法蘭的結(jié)構(gòu)示意圖如圖2 所示。
隨著光伏行業(yè)的發(fā)展，光伏發(fā)電項目要求度電成本不斷降低。晶硅太陽電池表面鍍膜過程成本的降低，可從管式PECVD 設(shè)備的生產(chǎn)過程出發(fā)，通過不斷減少生產(chǎn)制造成本、提高單臺設(shè)備的產(chǎn)能來降低度電成本。
提高單臺設(shè)備的產(chǎn)能可通過增加單個爐管的單次裝片量來實(shí)現(xiàn)，而提高單次裝片量需要進(jìn)一步加大石墨舟的尺寸和石英爐管的徑向尺寸。工藝氣體會源源不斷地通入石英爐管，合理的爐管內(nèi)壓力、流量、溫度等工藝參數(shù)可使工藝氣體均勻分布在爐管內(nèi)，從而保證沉積鍍膜的均勻性[2]。但隨著石墨舟和反應(yīng)室腔體越來越大，若仍采用現(xiàn)有的環(huán)形進(jìn)氣方式，反應(yīng)室截面氣場濃度分布的均勻性將降低，鍍膜質(zhì)量也將受到影響；并且還會存在以下缺點(diǎn)：1) 爐管內(nèi)中心區(qū)域氣體稀薄，流場穩(wěn)定性和均勻性降低；2) 位于石墨舟中間位置的硅片的減反射膜厚度較兩側(cè)位置稍薄。
因此，本文提出了一種新的反應(yīng)室結(jié)構(gòu)，即將原有的進(jìn)氣方式從環(huán)形進(jìn)氣方式改為了平面進(jìn)氣方式，以保證爐管的徑向尺寸，增加爐管內(nèi)流場分布的均勻性及穩(wěn)定性。下文通過仿真模型對這2 種進(jìn)氣方式進(jìn)行了驗(yàn)證。
2 建立仿真模型
2.1 模型簡化
本文選用湖南紅太陽光電科技有限公司生產(chǎn)的管式PECVD 設(shè)備的參數(shù)作為模型參數(shù)，并使用ANSYS 軟件建立連續(xù)流體模型。軟件基于控制體積法，對計算區(qū)域內(nèi)一系列不重復(fù)控制體積的微分方程進(jìn)行積分，得到離散單元體控制方程。本文模型中主要是對石英爐管內(nèi)連續(xù)流體進(jìn)行控制，其控制方程包括連續(xù)性方程和動量守恒方程。本文重點(diǎn)研究工藝過程中石英爐管內(nèi)流場分布的均勻性，暫不考慮溫度場分布情況。為使分析目標(biāo)更為準(zhǔn)確，模型中省去了石墨舟及硅片。
式中，ρ 為氣體密度；V 為氣體速度矢量；t為時間。動量守恒方程為[3]：
式中，μ 為氣體的動力粘度；P 為石英爐管內(nèi)靜壓力；SMi 為當(dāng)i=1，2，3 時，除壓力源外的沿X、Y、Z 軸3 個方向的廣義源項；ui 為石英爐管內(nèi)工藝氣體速度分量；?P/?xi 為當(dāng)i=1，2，3 時，爐管內(nèi)靜壓力沿X、Y、Z 軸3 個方向的梯度。采用環(huán)形進(jìn)氣方式時，工藝氣體是通過進(jìn)氣法蘭處周向均勻分布的24 個直徑為1 mm 的氣孔進(jìn)入石英爐管內(nèi)的；結(jié)合實(shí)際生產(chǎn)情況，頂部幾個氣孔的進(jìn)氣量較少，可忽略不計；且假設(shè)各進(jìn)氣孔氣體流量相等。環(huán)形進(jìn)氣方式的簡化模型圖如圖3 所示。
采用平面進(jìn)氣方式時，工藝氣體先從直徑為16 mm 的中心進(jìn)氣口流入，在預(yù)混腔均勻混合后，通過均氣板進(jìn)入石英爐管內(nèi)。平面進(jìn)氣方式的簡化模型圖如圖4 所示。
2.2 參數(shù)設(shè)置
采用管式PECVD 設(shè)備鍍SiNx 薄膜時所需的工藝氣體為NH3 和SiH4，且NH3 與SiH4 的流量比約為8:1，NH3 為主要反應(yīng)氣體。本仿真模型忽略組分的輸運(yùn)和組分間的化學(xué)反應(yīng)，因此設(shè)置單一的NH3 質(zhì)量流作為氣體入口邊界，NH3 流量為8000 sccm；反應(yīng)室出口壓力為200 Pa，模型設(shè)置為k-epsilon 湍流模型[4]。
2.3 流場仿真結(jié)果對比分析
由三維穩(wěn)態(tài)流體模擬得到反應(yīng)室內(nèi)環(huán)形和平面進(jìn)氣方式時中間截面內(nèi)流場速度矢量圖，分別如圖5、圖6 所示。由圖可以看出，2 種進(jìn)氣方式的進(jìn)口速度均大于出口速度。模擬達(dá)到穩(wěn)態(tài)時，平面進(jìn)氣方式的中心區(qū)域氣體分布較環(huán)形進(jìn)氣方式時的更為均勻。
3 反應(yīng)室結(jié)構(gòu)優(yōu)化設(shè)計
根據(jù)上文2 種進(jìn)氣方式的模擬結(jié)果，再加上考慮到反應(yīng)室腔體的增大，決定將反應(yīng)室中工藝氣體的環(huán)形進(jìn)氣方式改為平面進(jìn)氣方式。但由于采用平面進(jìn)氣方式時進(jìn)氣面需要固定不動，而每一次工藝運(yùn)行時，都需要裝卸一次石墨舟，反應(yīng)室前端爐門需進(jìn)行2 次開啟和關(guān)閉動作，因此，對反應(yīng)室的結(jié)構(gòu)進(jìn)行了優(yōu)化，將進(jìn)氣面設(shè)置在反應(yīng)室尾端，抽氣孔設(shè)置在反應(yīng)室前端。優(yōu)化后的反應(yīng)室結(jié)構(gòu)示意圖如圖7 所示。
3.1 尾端端面法蘭進(jìn)氣結(jié)構(gòu)優(yōu)化
尾端端面法蘭進(jìn)氣結(jié)構(gòu)優(yōu)化后的工藝流程為：進(jìn)氣管道A、B 設(shè)置在尾端端面法蘭中心區(qū)域，端面法蘭內(nèi)側(cè)連接均氣板，均氣板上設(shè)有若干個均勻分布的通氣孔；工藝氣體經(jīng)由進(jìn)氣管道A、B進(jìn)入尾端端面法蘭中心區(qū)域先向兩側(cè)充分混合，最后經(jīng)均氣板均勻進(jìn)入石英爐管內(nèi)部。優(yōu)化后的尾端端面法蘭進(jìn)氣結(jié)構(gòu)示意圖如圖8 所示。
均氣板上設(shè)有若干個均勻分布的通氣孔，沿圓周設(shè)置6 個與尾端固定方法蘭連接用的螺紋孔。均氣板結(jié)構(gòu)示意圖如圖9 所示。
3.2 反應(yīng)室前端結(jié)構(gòu)優(yōu)化
優(yōu)化后的反應(yīng)室前端結(jié)構(gòu)增加了前端密封法蘭、過渡筒、伸縮桿、內(nèi)爐門、隔熱板和導(dǎo)流管。優(yōu)化后的反應(yīng)室前端剖面示意圖如圖10 所示。
由于優(yōu)化后的反應(yīng)室前端增加了內(nèi)爐門，其與原外爐門形成了雙爐門結(jié)構(gòu)，因此在原外爐門基礎(chǔ)上增加了伸縮桿以連接內(nèi)爐門，內(nèi)爐門中心通孔連接導(dǎo)流管到抽氣孔，該抽氣孔焊接在過渡筒下方，并連接至真空系統(tǒng)。內(nèi)爐門和導(dǎo)流管可以使反應(yīng)室內(nèi)部工藝氣體從腔體中心區(qū)域抽離反應(yīng)室，保證反應(yīng)室內(nèi)氣場的均勻性和穩(wěn)定性。導(dǎo)流管將反應(yīng)室腔體內(nèi)熱氣流直接引入抽氣孔，減少了過渡筒內(nèi)的熱量，可大幅降低爐門密封圈的溫度。隔熱板可減少內(nèi)、外爐門之間輻射熱的傳播，進(jìn)一步降低爐門密封圈的溫度，延長密封圈的使用壽命。
PECVD石墨舟作為光伏太陽能電池鍍膜最常用的工藝之一，被廣泛用于半導(dǎo)體、太陽能電池片的生產(chǎn)過程中。作為光伏太陽能電池硅片的載體，石墨是最理想的材料之一，對表面鍍膜的均勻性、色差等產(chǎn)生至關(guān)重要的作用，要求其有高純度、耐腐蝕、極好的抗彎強(qiáng)度和良好的導(dǎo)電性能。
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